MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:
241-9704
Nº ref. fabric.:
BSZ039N06NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PQFN

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia Infineon OptiMOS es un MOSFET de canal N que está completamente cualificado según JEDEC para aplicaciones industriales. Presenta una mayor fiabilidad de las juntas de soldadura gracias a la interconexión ampliada de la fuente.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento

Resistencia térmica superior

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