MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:
241-9702
Nº ref. fabric.:
BSZ024N04LS6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSZ

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 6 es un MOSFET de canal N optimizado para aplicaciones síncronas. Tiene una resistencia térmica superior.

Libre de halógenos según la norma IEC61249-2-21

100% probado en avalancha

Cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones de destino

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