MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 84 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 242-0983
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R180P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 242-0983
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R180P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de Infineon se suministra en un encapsulado TO-220-3. La corriente de drenaje continua máxima es de 18 A y la tensión de fuente de drenaje es de 600 V. La temperatura de funcionamiento es de -55 °C a 175 °C.
Tecnología de montaje en orificio pasante
Disipación de potencia de 26 W
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC)
Excelente resistencia de conmutación
Reducción significativa de pérdidas de conmutación y conducción.
Excelente resistencia ESD