MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R180P7XKSA1, VDSS 40 V, ID 84 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
242-0984
Nº ref. fabric.:
IPA60R180P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPA

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de Infineon se suministra en un encapsulado TO-220-3. La corriente de drenaje continua máxima es de 18 A y la tensión de fuente de drenaje es de 600 V. La temperatura de funcionamiento es de -55 °C a 175 °C.

Tecnología de montaje en orificio pasante

Disipación de potencia de 26 W

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC)

Excelente resistencia de conmutación

Reducción significativa de pérdidas de conmutación y conducción.

Excelente resistencia ESD

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