MOSFET Nexperia PXP9R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 17,7 A, MLPAK33 de 8 pines
- Código RS:
- 243-4896
- Nº ref. fabric.:
- PXP9R1-30QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
3000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,264 €
(exc. IVA)
0,319 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,264 € | 792,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-4896
- Nº ref. fabric.:
- PXP9R1-30QLJ
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnología Trench MOSFET.
Tensión de umbral baja
Tecnología Trench MOSFET
Tecnología Trench MOSFET
Interruptor de carga de lado alto
Gestión de batería
Conversión CC a CC
Circuitos de conmutación
Gestión de batería
Conversión CC a CC
Circuitos de conmutación
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | MLPAK33 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
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