MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia PXP9R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 17.7 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
243-4897
Nº ref. fabric.:
PXP9R1-30QLJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

17.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnología Trench MOSFET.

Tensión de umbral baja

Tecnología Trench MOSFET

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