MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP650P06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID -3.70 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 243-9277
- Nº ref. fabric.:
- ISP650P06NMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
3,48 €
(exc. IVA)
4,22 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 158 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,74 € | 3,48 € |
| 20 - 48 | 1,47 € | 2,94 € |
| 50 - 98 | 1,38 € | 2,76 € |
| 100 - 198 | 1,29 € | 2,58 € |
| 200 + | 1,18 € | 2,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9277
- Nº ref. fabric.:
- ISP650P06NMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie ISP de Infineon, tensión de fuente-drenaje máxima de 60 V, disipación de potencia máxima de 81 W - ISP650P06NMXTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos de temperatura exigentes. Funciona en un amplio rango térmico y se suministra en un encapsulado SOT‐223 compacto adecuado para montajes que requieren una huella de manejo de potencia continua al tiempo que se conserva el área de la placa.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 65 mΩ reduce las pérdidas por conducción para una transferencia de potencia eficiente
• La corriente de drenaje continua de 3,70 A admite el funcionamiento con carga en estado estable
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La clasificación de drenaje de fuente de 60 V permite aplicaciones de conmutación de mayor tensión
• La disipación de potencia de 81 W gestiona la energía térmica en encapsulados compactos
• La corriente de drenaje continua de 3,70 A admite el funcionamiento con carga en estado estable
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La clasificación de drenaje de fuente de 60 V permite aplicaciones de conmutación de mayor tensión
• La disipación de potencia de 81 W gestiona la energía térmica en encapsulados compactos
Aplicaciones
• Apto para módulos de control de automoción que requieren resistencia a la temperatura
• Ideal para carriles de alimentación en electrónica de control industrial
• Se utiliza para conmutar cargas en sistemas de gestión de baterías
• Puede utilizarse para circuitos de conmutación de polaridad inversa y de lado alto
• Ideal para carriles de alimentación en electrónica de control industrial
• Se utiliza para conmutar cargas en sistemas de gestión de baterías
• Puede utilizarse para circuitos de conmutación de polaridad inversa y de lado alto
¿A qué temperaturas ambientales puede funcionar?
Funciona en un amplio rango de –55 a +150 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas hostiles.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado SOT‐223 diseñado para montaje en superficie en placas de circuito impreso.
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?
La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 20 V y no debe excederse para evitar daños.
¿Es adecuado para aplicaciones de automoción?
Cumple con AEC-Q101, lo que admite la cualificación para implementaciones electrónicas de automoción.
¿Cumple las restricciones de sustancias ambientales?
Cumple la directiva RoHS y las restricciones sobre determinados materiales peligrosos.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines