MOSFET, N-Canal Infineon BSR802NL6327HTSA1, VDSS 20 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0540
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-497
- Nº ref. fabric.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
4,96 €
(exc. IVA)
6,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1010 unidad(es) más para enviar a partir del 04 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,992 € | 4,96 € |
| 50 - 120 | 0,85 € | 4,25 € |
| 125 - 245 | 0,802 € | 4,01 € |
| 250 - 495 | 0,744 € | 3,72 € |
| 500 + | 0,692 € | 3,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 250-0540
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-497
- Nº ref. fabric.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | BSR | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie BSR | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie BSR de Infineon, tensión de fuente-drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 3,7 A - BSR802NL6327HTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para la conmutación y el control de potencia de montaje en superficie en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y se suministra en un encapsulado Compact SOT‐223 para aplicaciones de montaje en PCB. El dispositivo admite conmutación controlada por puerta a tensiones de puerta estándar y cumple los requisitos ambientales sin plomo.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido proporciona pérdidas de conducción mínimas y mayor eficiencia
• La alta disipación de potencia permite un manejo de potencia sostenido durante el funcionamiento
• La amplia tolerancia de puerta permite un control robusto hasta los límites de puerta especificados
• La clasificación de alta temperatura permite el funcionamiento en condiciones térmicas elevadas
• La certificación para automoción garantiza la idoneidad para la electrónica de uso en vehículos
• La alta disipación de potencia permite un manejo de potencia sostenido durante el funcionamiento
• La amplia tolerancia de puerta permite un control robusto hasta los límites de puerta especificados
• La clasificación de alta temperatura permite el funcionamiento en condiciones térmicas elevadas
• La certificación para automoción garantiza la idoneidad para la electrónica de uso en vehículos
Aplicaciones
• Apto para módulos de control electrónico de automoción
• Ideal para conmutación de potencia general en conjuntos SMD
• Se utiliza para distribución de potencia dc y conmutación de carga
• Se puede utilizar para etapas de potencia sometidas a tensión térmica
• Ideal para conmutación de potencia general en conjuntos SMD
• Se utiliza para distribución de potencia dc y conmutación de carga
• Se puede utilizar para etapas de potencia sometidas a tensión térmica
¿Qué rango de tensión de puerta puede tolerar?
Está especificado para tensiones de puerta de hasta 20 V, lo que permite compatibilidad con accionamientos de nivel lógico estándar.
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar de –55 a +150 °C, por lo que se adapta a entornos de gran temperatura.
¿Cuál es la corriente constante máxima que puede transportar?
Admite una corriente de drenaje continua de 3,7 A para condiciones de carga sostenida.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el rendimiento térmico?
El encapsulado SOT‐223 es un formato de montaje en superficie que equilibra un tamaño compacto con disipación térmica para aplicaciones de potencia.
¿Qué estándar ambiental cumple para sustancias restringidas?
Cumple los requisitos RoHS para el control de sustancias peligrosas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET Infineon ID 5 A, SOT-223