MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSR802NL6327HTSA1, VDSS 40 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0540
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-497
- Nº ref. fabric.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 125 - 245 | 0,802 € | 4,01 € |
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- Código RS:
- 250-0540
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-497
- Nº ref. fabric.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | BSR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie BSR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon fabrica este transistor de señal pequeña Optimos 2. Se trata de un transistor de modo de mejora de canal P ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.
Nivel lógico (valor nominal de 4,5 V)
Clasificación de avalancha y 100 % sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
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