MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSR802NL6327HTSA1, VDSS 40 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0540
Número de artículo Distrelec:
304-40-497
Nº ref. fabric.:
BSR802NL6327HTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon fabrica este transistor de señal pequeña Optimos 2. Se trata de un transistor de modo de mejora de canal P ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.

Nivel lógico (valor nominal de 4,5 V)

Clasificación de avalancha y 100 % sin plomo

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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