MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL60HS118, VDSS 40 V, ID 11 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 243-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRL60HS118
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,992 € | 4,96 € |
| 50 - 120 | 0,892 € | 4,46 € |
| 125 - 245 | 0,832 € | 4,16 € |
| 250 - 495 | 0,782 € | 3,91 € |
| 500 + | 0,722 € | 3,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9303
- Nº ref. fabric.:
- IRL60HS118
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N IRL60HS118 de Infineon está disponible en tres clases de tensión diferentes (60 V, 80 V y 100 V). Los nuevos MOSFET de potencia de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, telecomunicaciones y adaptador. El encapsulado PQFN 2x2 es especialmente adecuado para aplicaciones críticas de conmutación de alta velocidad y factor de forma. Permite una mayor densidad de potencia y una eficiencia mejorada, así como un ahorro de espacio significativo.
Diseños de mayor densidad de potencia
Frecuencia de conmutación superior
Utiliza chiop OptiMOSTM5
Reduce el número de piezas dondequiera que estén disponibles fuentes de alimentación de 5 V
Se acciona directamente desde microcontroladores (conmutación lenta)
Reducciones de costes del sistema