MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 17 A, PQFN
- Código RS:
- 257-9370
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5007TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 257-9370
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5007TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 75 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible