MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN

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Código RS:
257-9374
Nº ref. fabric.:
IRFH5406TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.4mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 60 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

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