MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 86 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 232-6772
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,26 € | 6,30 € |
| 50 - 120 | 1,136 € | 5,68 € |
| 125 - 245 | 1,058 € | 5,29 € |
| 250 - 495 | 0,984 € | 4,92 € |
| 500 + | 0,904 € | 4,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-6772
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0702NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 86A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 3.4mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 86A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 3.4mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha