MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- Código RS:
- 257-9375
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5406TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 125 - 245 | 1,604 € | 8,02 € |
| 250 - 495 | 1,562 € | 7,81 € |
| 500 + | 1,524 € | 7,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9375
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5406TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.4mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.4mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 60 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible