MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 0.9 V, ID 10.3 A, N, ESM
- Código RS:
- 244-0122
- Nº ref. fabric.:
- RYM002N05T2CL
- Fabricante:
- ROHM
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 244-0122
- Nº ref. fabric.:
- RYM002N05T2CL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 0.9V | |
| Serie | RYM002N05 | |
| Encapsulado | ESM | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 0.9V | ||
Serie RYM002N05 | ||
Encapsulado ESM | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de ROHM están fabricados con una resistencia de CONEXIÓN ultrabaja gracias a las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles para bajo consumo de corriente. En una amplia gama que incluye tipo compacto, tipo de alta potencia y tipo complejo para cumplir con el mercado, y se suministra con paquete de 8000 unidades.
Tipo de accionamiento de baja tensión (0,9V V)
MOSFET de señal pequeña de canal N
Encapsulado para montaje superficial
Sin plomo/conforme a RoHS