MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RF4G100BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.3 A, N, HUML2020L8 de 8 pines

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Código RS:
241-2263
Nº ref. fabric.:
RF4G100BGTCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

HUML2020L8

Serie

RF4G100BG

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

EL ROHM RF4G100BG es un MOSFET de alimentación con baja resistencia de conexión y adecuado para conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado moldeado pequeño de alta potencia HUML2020L8

Chapado sin plomo y conforme con RoHS

Sin halógenos

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