MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RF4P060BGTCR, VDSS 100 V, ID 6 A, Mejora, HUML2020L8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
266-3857
Nº ref. fabric.:
RF4P060BGTCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HUML2020L8

Serie

RF4P060BG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM con baja resistencia de conexión y encapsulado moldeado pequeño de alta potencia, adecuado para conmutación.

Chapado sin plomo

Conforme con RoHS

Sin halógenos

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