MOSFET ROHM, Tipo N-Canal UT6KE5TCR, VDSS 100 V, HUML2020L8, Mejora de 8 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-564
Nº ref. fabric.:
UT6KE5TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HUML2020L8

Serie

UT6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

207mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de doble canal N de 100 V y 2,0 A de ROHM en un encapsulado DFN2020-8D presenta una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y convertidores CC/CC. Integra dos MOSFET de 100 V en un diseño compacto de montaje superficial.

Baja resistencia

Envase pequeño de montaje en superficie

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

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