MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-1589
Nº ref. fabric.:
IPD25DP06LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo, es conforme con RoHS y no contiene halógenos de conformidad con IEC61249-2-21.

Canal P

Resistencia de conexión muy baja, RDS(on)

100 % probado en avalancha

Modo normal

Modo de mejora

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