MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, P, TO-252 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.577,50 €

(exc. IVA)

1.910,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,631 €1.577,50 €

*precio indicativo

Código RS:
244-8545
Nº ref. fabric.:
IPD380P06NMATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM de Infineon tiene chapado de cable sin plomo, cumple con RoHS y no contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21.

Canal P.

Resistencia de conexión RDS(on) muy baja

100 % a prueba de avalancha

Nivel normal

Modo de mejora

Enlaces relacionados

Recently viewed