MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R450P7ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

3,54 €

(exc. IVA)

4,28 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2438 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 +1,77 €3,54 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-8551
Nº ref. fabric.:
IPD80R450P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie CoolMOS P7 de MOSFET de Infineon de 800V V establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso de ART, resultado de los más de 18 años de innovación en tecnología de súper unión pionera de Infineon.

El mejor Eoss FOM RDS(on) de su clase

El mejor DPAK RDS(on) de su clase

El mejor V(GS)TH de su clase de 3V

Cartera totalmente optimizada

Protección ESD de diodo Zener integrada

Enlaces relacionados