MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-8550
Nº ref. fabric.:
IPD80R450P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie CoolMOS P7 de MOSFET de Infineon de 800V V establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso de ART, resultado de los más de 18 años de innovación en tecnología de súper unión pionera de Infineon.

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