MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD65R660CFDAATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-8548
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
2,37 €
(exc. IVA)
2,868 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2402 unidad(es) más para enviar a partir del 22 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 + | 1,185 € | 2,37 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-8548
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada conforme al principio de superunión (SJ) y pionera en tecnologías Infineon. La serie 650V CoolMOS CFDA combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos resultantes proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida al tiempo que ofrecen un diodo de cuerpo muy rápido y robusto. Esta combinación de pérdidas de conmutación, conmutación y conducción extremadamente bajas junto con la mayor solidez hacen que las aplicaciones de conmutación especialmente resonante sean más fiables, eficientes, ligeras y refrigeradas.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
Resistencia de conmutación muy alta
Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas
Fácil de usar/manejar
Certificación según AEC Q101
Encapsulado verde (conforme con RoHS)