MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-0945
Nº ref. fabric.:
IPD80R280P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 800 V de Infineon es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia, ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación rendimiento-precio. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno, como adaptador y cargador, controladores de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. En general, ayuda a los clientes a ahorrar el coste BOM y reducir el esfuerzo de montaje.

DPAK RDS(on) excelente de 280 mΩ

V(GS)th excelente de 3 V y la menor variación V(GS)a de ±0,5 V

Protección contra ESD de diodo Zener integrado hasta la clase 2 (HBM)

Las mejores calidad y fiabilidad

Cartera completamente optimizada

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