MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N10S3L16ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

3,29 €

(exc. IVA)

3,98 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 2484 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 81,645 €3,29 €
10 - 181,56 €3,12 €
20 - 481,415 €2,83 €
50 - 981,27 €2,54 €
100 +1,20 €2,40 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-0878
Nº ref. fabric.:
IPD50N10S3L16ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM de Infineon es un producto ecológico conforme a RoHS y que cuenta con la certificación AEC Q101 de automoción.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 hasta 260 °C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

100 % probado en avalancha

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.