MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N10S3L16ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
244-0878
Nº ref. fabric.:
IPD50N10S3L16ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM de Infineon es un producto ecológico conforme a RoHS y que cuenta con la certificación AEC Q101 de automoción.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 hasta 260 °C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

100 % probado en avalancha

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