MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD65R225C7ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-0944
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R225C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,135 € | 4,27 € |
| 10 - 18 | 2,03 € | 4,06 € |
| 20 - 48 | 1,835 € | 3,67 € |
| 50 - 98 | 1,64 € | 3,28 € |
| 100 + | 1,565 € | 3,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-0944
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R225C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de potencia CoolMOS C7 de Infineon representan un avance revolucionario en tecnología puesto que aportan bajo RDS(on)/encapsulado y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el intervalo de carga. Ofrecen el RDS(on) más bajo del mundo: de 19 mΩ en un TO-247 y de 45 mΩ en encapsulados TO-220 y D2PAK. El rendimiento de conmutación rápido del C7 permite ahora a los clientes funcionar a frecuencias de conmutación superiores a 100 kHz al tiempo que se alcanzan niveles de titanio de eficiencia en etapas de PFC de servidor.
Tensión de 650V
RDS (on)/encapsulado revolucionario excelente
Energía almacenada reducida en la capacitancia de salida (Eoss)
Carga de puerta inferior Qg
Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas
Margen de seguridad mejorado y apto para aplicaciones de inversor solar y SMPS
Pérdidas de conducción/encapsulado inferiores
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia