MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R145CFD7ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-9740
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R145CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7 es la última tecnología MOSFET de superconexión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie CoolMOS 7. CoolMOS CFD7 se suministra con carga de puerta (Qg) reducida, comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69 % inferior en comparación con la competencia, así como el tiempo de recuperación inversa (trr) más bajo del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa de su clase (Qrr)
Resistencia mejorada del diodo inverso dv/dt y dif/dt
La más baja FOM RDS(on) x Qg y Eoss
Excelente RDS(on)/combinaciones de paquete