MOSFET, N-Canal Infineon IPD050N10N5ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-8544
- Nº ref. fabric.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,29 € | 6,58 € |
| 20 - 48 | 2,755 € | 5,51 € |
| 50 - 98 | 2,56 € | 5,12 € |
| 100 - 198 | 2,40 € | 4,80 € |
| 200 + | 2,21 € | 4,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-8544
- Nº ref. fabric.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie IPD de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 75 V, corriente de drenaje continua máxima de 180 A - IPD050N10N5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en entornos exigentes, que ofrece una amplia tolerancia de temperatura de funcionamiento y cumple los estándares ambientales del sector.
Características y ventajas:
• La tensión máxima de drenaje-fuente de 75 V permite la conmutación de tensión moderada
• La corriente de drenaje continua de 180 A admite aplicaciones de alta corriente
• La baja resistencia de conexión de 3 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La carga de puerta típica de 80 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• La potencia nominal máxima de puerta-fuente de 20 V admite un accionamiento de puerta robusto
• La corriente de drenaje continua de 180 A admite aplicaciones de alta corriente
• La baja resistencia de conexión de 3 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 81 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La carga de puerta típica de 80 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• La potencia nominal máxima de puerta-fuente de 20 V admite un accionamiento de puerta robusto
Aplicaciones
• Apto para unidades de distribución de potencia de automoción
• Ideal para convertidores dc-dc en equipos industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la protección
• Se utiliza con matrices de conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie
• Ideal para convertidores dc-dc en equipos industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la protección
• Se utiliza con matrices de conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Funciona en un rango ampliado de –55 a 175 °C, soportando condiciones térmicas hostiles.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el rendimiento térmico?
El encapsulado de montaje en superficie TO-252 proporciona un tamaño de placa compacto y facilita la transferencia de calor a la PCB para la gestión térmica.
¿Qué característica de diodo es relevante para la conducción directa?
El diodo intrínseco presenta una tensión directa de aproximadamente 1,3 V durante eventos de conducción.
¿Es adecuado para aplicaciones con restricciones ambientales de materiales?
Cumple los requisitos de la directiva RoHS y las restricciones sobre determinadas sustancias peligrosas.
¿Qué orientación y modo de canal utiliza?
Emplea un canal de tipo N que funciona en modo de mejora para un comportamiento de conmutación de potencia estándar.