MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD050N10N5ATMA1, VDSS 75 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-8544
- Nº ref. fabric.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,195 € | 4,39 € |
| 20 - 48 | 1,845 € | 3,69 € |
| 50 - 98 | 1,705 € | 3,41 € |
| 100 - 198 | 1,605 € | 3,21 € |
| 200 + | 1,465 € | 2,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-8544
- Nº ref. fabric.:
- IPD050N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia MOSFET OptiMOSTM5 de Infineon tiene chapado de cable sin plomo, cumple con RoHS y no contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21.
Canal N, nivel normal
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
Resistencia de conexión RDS(on) muy baja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Ideal para conmutación de alta frecuencia