MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R750P7ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 244-0883
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R750P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,05 € | 4,10 € |
| 20 - 48 | 1,68 € | 3,36 € |
| 50 - 98 | 1,58 € | 3,16 € |
| 100 - 198 | 1,475 € | 2,95 € |
| 200 + | 1,35 € | 2,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-0883
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R750P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de 950 V de la serie CoolMOS P7 de Infineon marca un nuevo punto de referencia en tecnologías de superunión de 950 V y combina un rendimiento excelente con una facilidad de uso vanguardiardista, resultado de la innovación de tecnología de superunión pionera de Infineon durante más de 18 años.
FOM RDS(on) excelente * Eoss
DPAK RDS(on) excelente
V(GS)th excelente de 3 V
Cartera completamente optimizada
Protección ESD de diodo Zener integrada