MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN3055LFDBQ-7, VDSS 30 V, UDFN-2020, Mejora de 6 pines, 2
- Código RS:
- 246-7517
- Nº ref. fabric.:
- DMN3055LFDBQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 246-7517
- Nº ref. fabric.:
- DMN3055LFDBQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | UDFN-2020 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.075Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado UDFN-2020 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.075Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N, diseñado para cumplir los estrictos requisitos de aplicaciones de automoción. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado U-DFN2020-6. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N, diseñado para cumplir los estrictos requisitos de aplicaciones de automoción.
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