MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT6011LPDW-13, VDSS 60 V, PowerDI5060-8, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 246-7555
- Nº ref. fabric.:
- DMT6011LPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,694 € | 17,35 € |
| 50 - 75 | 0,681 € | 17,03 € |
| 100 - 225 | 0,49 € | 12,25 € |
| 250 + | 0,478 € | 11,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 246-7555
- Nº ref. fabric.:
- DMT6011LPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.022Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.022Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado powerDI5060-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±12 V. Ofrece baja resistencia de conexión. Tiene una tensión de umbral de puerta baja Ofrece una puerta protegida contra ESD
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