MOSFET DiodesZetex DMP6050SPS-13, VDSS 60 V, ID 5,7 A, PowerDI5060-8 de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 182-7204
- Nº ref. fabric.:
- DMP6050SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
4625 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,574 €
(exc. IVA)
0,695 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,574 € | 14,35 € |
| 250 - 475 | 0,469 € | 11,725 € |
| 500 - 975 | 0,431 € | 10,775 € |
| 1000 - 1475 | 0,369 € | 9,225 € |
| 1500 + | 0,345 € | 8,625 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 182-7204
- Nº ref. fabric.:
- DMP6050SPS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
This new generation 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and loadswitch.
Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Notebook Battery Power Management
DC-DC Converters
Loadswitch
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Notebook Battery Power Management
DC-DC Converters
Loadswitch
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | PowerDI5060-8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 70 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2.4 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5.1mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 30 nC @ 10V |
| Longitud | 6mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.05mm |
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