Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	10.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	PowerDI5060-8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	41mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.73W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	127nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	5.15 mm
	Altura	1mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado PowerDI5060-8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.73W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 127nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 5.15 mm
	Altura 1mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - DMPH33M8SPSW-13

El MOSFET de modo de mejora de canal P de DiodeZetex se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es aplicable en aplicaciones de uso general

Baja resistencia de conexión, alta energía de conversión, sin halógenos ni antimonio

MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMPH33M8SPSW-13, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, PowerDI5060-8

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