MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, PowerDI5060-8
- Código RS:
- 254-8639
- Nº ref. fabric.:
- DMPH33M8SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 254-8639
- Nº ref. fabric.:
- DMPH33M8SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 127nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 127nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P de DiodeZetex se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es aplicable en aplicaciones de uso general
Baja resistencia de conexión, alta energía de conversión, sin halógenos ni antimonio
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