MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, PowerDI5060-8
- Código RS:
- 254-8628
- Nº ref. fabric.:
- DMP3011SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 254-8628
- Nº ref. fabric.:
- DMP3011SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P de DiodeZetex se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es aplicable en convertidores dc a dc
Baja resistencia de conexión, baja capacitancia de entrada, sin halógenos ni antimonio
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