MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R039M1HXTMA1, VDSS 75 V, ID 64 A, Mejora, TO-263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 248-9315
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 248-9315
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263-7 | |
| Serie | IMBG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263-7 | ||
Serie IMBG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET SiC de Infineon es un CoolSiC de 650 V construido sobre la tecnología de carburo de silicio sólido, aprovechando las características del material SiC de amplio margen de banda. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso, adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite el despliegue simplificado y rentable de la máxima eficiencia del sistema.
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes más altas
Diodo de cuerpo rápido de conmutación robusto con bajo Qf
Fiabilidad de óxido de puerta superior
Tj, máx. -175 °C y comportamiento térmico excelente
RDS(on) más bajo y dependencia de corriente de impulsos en función de la temperatura
Mayor capacidad de avalancha
Compatible con controladores estándar
La fuente Kelvin proporciona hasta 4 veces menos pérdidas de conmutación
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