MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RW4E065GNTCL1, VDSS 30 V, ID 10.7 A, Mejora, HEML1616L7 de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
249-1136
Nº ref. fabric.:
RW4E065GNTCL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

HEML1616L7

Serie

RW4E065GN

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de alimentación de canal N ROHM con baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida, es ideal para aplicaciones de conmutación, tiene una tensión de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje de 6,5 A, tipo de encapsulado de cinta.

Baja resistencia

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

Libre de halógenos

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