MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 190 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
249-3348
Nº ref. fabric.:
IPT039N15N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El mosfet de potencia Infineon Optimos 5 es un mosfet de canal N que ofrece una resistencia de conexión muy baja y una resistencia térmica superior. Este dispositivo no contiene Pb (plomo) ni halógenos. Se suministra en un empaquetado de montaje superficial PG-HSOF-8.

La tensión de drenaje a fuente (Vdss) es de 150 V

La corriente de drenaje continua es (Id) a 25 °C es de 21 A (Ta), las tensiones de accionamiento de 190 A (Tc)

Tensiòn del controlador (Rds máx. activados, Rds mín. activados) son de 8 V y 10 V

La temperatura de funcionamiento es de -55 °C a 175 °C (TJ)

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