MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT063N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 122 A, Mejora, HSOF-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

3,87 €

(exc. IVA)

4,68 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1810 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +3,87 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
249-3356
Nº ref. fabric.:
IPT063N15N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

122A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El mosfet de potencia Infineon Optimos 5 es un mosfet de canal N que ofrece una resistencia de conexión muy baja y una resistencia térmica superior. Este dispositivo no contiene Pb (plomo) ni halógenos. Se suministra en un empaquetado de montaje superficial PG-HSOF-8.

Vds (tensión de drenaje a fuente) es de 150 V

Rds (máx. encendido) es de 6,3 milliohmios e Id es de 122 A

Qdss y los valores de Qg son de 131 nC y 47 nC respectivamente

Enlaces relacionados