MOSFET Microchip MSC080SMA330B4, VDSS 3.300 V, ID 41 A, TO-247

La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de Microship aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión. El dispositivo es un MOSFET SiC de 3.300 V, 80 mΩ en un empaquetado TO-247 de 4 cables con detección de fuente. Tiene bajas capacitancias y baja carga de puerta con velocidad de conmutación rápida gracias a la baja resistencia de puerta interna (ESR). Permite un funcionamiento estable a alta temperatura de unión, TJ (máx.) de 150 °C. Se trata de un diodo de cuerpo rápido y fiable con una resistencia a la avalancha superior.

Alta eficiencia para permitir un sistema más ligero y compacto
Fácil de accionar y paralelizar
Capacidades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación inferiores