MOSFET Microchip MSC080SMA330B4, VDSS 3.300 V, ID 41 A, TO-247
- Código RS:
- 249-4129
- Nº ref. fabric.:
- MSC080SMA330B4
- Fabricante:
- Microchip
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 249-4129
- Nº ref. fabric.:
- MSC080SMA330B4
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 41 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 3.300 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 41 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 3.300 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de Microship aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión. El dispositivo es un MOSFET SiC de 3.300 V, 80 mΩ en un empaquetado TO-247 de 4 cables con detección de fuente. Tiene bajas capacitancias y baja carga de puerta con velocidad de conmutación rápida gracias a la baja resistencia de puerta interna (ESR). Permite un funcionamiento estable a alta temperatura de unión, TJ (máx.) de 150 °C. Se trata de un diodo de cuerpo rápido y fiable con una resistencia a la avalancha superior.
Alta eficiencia para permitir un sistema más ligero y compacto
Fácil de accionar y paralelizar
Capacidades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación inferiores
Fácil de accionar y paralelizar
Capacidades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación inferiores