MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFB8409, VDSS 40 V, ID 195 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6872
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFB8409
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 249-6872
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFB8409
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon incorpora las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar avanzada
Baja resistencia de conexión
Valor nominal dinámico dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida