MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
820-8833
Nº ref. fabric.:
IRFB7530PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

274nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Altura

16.51mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 195 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFB7530PBF


Este MOSFET de canal N de alta corriente está diseñado para una amplia gama de aplicaciones de potencia. Su avanzada estructura permite una conmutación eficaz y un rendimiento notable en entornos difíciles, lo que la hace idónea para los sectores de la automatización y la electrónica, donde la fiabilidad y la robustez son esenciales para un funcionamiento eficaz en los circuitos eléctricos.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua máxima de 195 A

• Amplia gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +175°C

• Mayor durabilidad con robustez frente a avalanchas y dV/dt dinámico

• Capacitancia totalmente caracterizada y SOA de avalancha

• No contiene plomo y cumple la normativa RoHS de seguridad medioambiental

Aplicaciones


• Utilizado en el accionamiento de motores con escobillas

• Adecuado para topologías de medio puente y puente completo

• Apto para rectificador síncrono

• Ideal para circuitos alimentados por batería y convertidores CC/CC

• Se dedica a los sistemas de inversores CA/CC y CC/CA

¿Cuál es la tensión umbral de puerta máxima de este componente?


La tensión umbral de puerta máxima es de 3,7 V, lo que facilita un funcionamiento eficiente en diversas configuraciones de accionamiento de puerta.

¿Puede funcionar este MOSFET en entornos de alta temperatura?


Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones duras.

¿Cuál es el rendimiento de este MOSFET en términos de disipación de potencia?


Permite una disipación de potencia máxima de 375 W, lo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones de carga importantes.

¿Se puede utilizar tanto en corriente continua como alterna?


Este componente está diseñado para ofrecer versatilidad, proporcionando un rendimiento eficaz en aplicaciones de conversión de potencia CC/CC y CA/CC.

¿Qué implicaciones tiene su baja RDS(on) para el diseño de circuitos?


Un RDS(on) bajo minimiza las pérdidas por conducción, mejorando así la eficiencia global del sistema y permitiendo disipadores de calor más pequeños y un mejor rendimiento térmico en los diseños de circuitos.

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