MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF5MR20KM1HHPSA1, VDSS 2000 V, ID 195 A, Mejora

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Código RS:
349-317
Nº ref. fabric.:
FF5MR20KM1HHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2000V

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

6.15V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
Módulo de medio puente CoolSiC MOSFET de 62 mm de Infineon, de 2000 V y 5,2 mΩ G1, en el conocido diseño de encapsulado de 62 mm con tecnología de chip M1H. También disponible con material de interfaz térmica aplicado de antemano.

Alta densidad de corriente

Bajas pérdidas por conmutación

Fiabilidad superior del óxido de puerta

Robusto diodo de cuerpo integrado

Alta resistencia a la radiación cósmica

Módulo de conmutación de alta velocidad

Diseño simétrico del módulo

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