MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF5MR20KM1HPHPSA1, VDSS 2000 V, ID 155 A, Mejora

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Código RS:
349-319
Nº ref. fabric.:
FF5MR20KM1HPHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

155A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2000V

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

6.15V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

60068, IEC 60747, 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
Módulo de medio puente Infineon CoolSiC MOSFET de 62 mm, 2000 V y 3,5 mΩ G1, en el conocido encapsulado de 62 mm con tecnología de chip M1H y material de interfaz térmica aplicado de antemano.

Alta densidad de corriente

Bajas pérdidas por conmutación

Fiabilidad superior del óxido de puerta

Robusto diodo de cuerpo integrado

Alta resistencia a la radiación cósmica

Módulo de conmutación de alta velocidad

Diseño simétrico del módulo

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