MOSFET Infineon DF419MR20W3M1HFB11BPSA1, VDSS 2000 V, ID 50 A, AG-EASY3B

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Código RS:
260-1093
Nº ref. fabric.:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2000V

Encapsulado

AG-EASY3B

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26.5mΩ

Tensión directa Vf

6.15V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon dispone de una configuración de impulso de 4 patas en una carcasa Easy 3B y se suministra con la última generación CoolSiC M1H. El MOSFET SiC de 2.000 V comparte el mismo rendimiento y ventajas que la serie M1H de 1.200 V incl. RDS(on) un 12 % más bajo a 125 °C, área de fuente de tensión de puerta más amplia para mayor flexibilidad, una temperatura de unión máxima de 175 °C y tamaños de chip más pequeños.

Alta densidad de corriente

Diseño inductivo bajo

Montaje robusto gracias a las abrazaderas de montaje integradas

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