MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF2MR12W3M1HB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 400 A, AG-EASY3B, Mejora de 8 pines

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250-0223
Nº ref. fabric.:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

400A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY3B

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.44mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, 60749 and 60068

Estándar de automoción

AEC-Q101

El módulo de medio puente CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B de 1.200 V / 1,44 mΩ de Infineon con MOSFET CoolSiC™ con generación 1 mejorada, sensor de temperatura NTC integrado y tecnología de contacto PressFIT.

Bajas pérdidas de conmutación

Alta densidad de corriente

Diseño inductivo bajo

Tecnología de contacto PressFIT

Sensor de temperatura NTC integrado

Montaje resistente gracias a abrazaderas de montaje integradas

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