MOSFET Infineon FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, AG-EASY1BS-1

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258-0847
Nº ref. fabric.:
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY1BS-1

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.8mΩ

Tensión directa Vf

5.95V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El CoolSiCTM EasyPACKTM1B de automoción de Infineon es un módulo de medio puente que combina las ventajas de la robusta tecnología de carburo de silicio de Infineon con un encapsulado muy compacto y flexible para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa el nuevo MOSFET de automoción CoolSiCTM de 1.200 V Gen1, optimizado para aplicaciones de alta tensión como convertidor dc/dc e inversor auxiliar. El chipset ofrece densidad de corriente de referencia, alta tensión de bloque y pérdidas de conmutación reducidas, lo que permite diseños compactos y ayuda a mejorar la eficiencia del sistema, así como permite un funcionamiento fiable en condiciones ambientales hostiles.

Diodo intrínseco con recuperación inversa baja

Baja inductancia de desviación de 5 nH

Tensión de bloqueo de 1.200 V

Pérdidas de conmutación bajas

Sensor de temperatura NTC integrado

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