MOSFET Infineon FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, AG-EASY1BS-1
- Código RS:
- 258-0847
- Nº ref. fabric.:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0847
- Nº ref. fabric.:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | AG-EASY1BS-1 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Tensión directa Vf | 5.95V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado AG-EASY1BS-1 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Tensión directa Vf 5.95V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El CoolSiCTM EasyPACKTM1B de automoción de Infineon es un módulo de medio puente que combina las ventajas de la robusta tecnología de carburo de silicio de Infineon con un encapsulado muy compacto y flexible para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa el nuevo MOSFET de automoción CoolSiCTM de 1.200 V Gen1, optimizado para aplicaciones de alta tensión como convertidor dc/dc e inversor auxiliar. El chipset ofrece densidad de corriente de referencia, alta tensión de bloque y pérdidas de conmutación reducidas, lo que permite diseños compactos y ayuda a mejorar la eficiencia del sistema, así como permite un funcionamiento fiable en condiciones ambientales hostiles.
Diodo intrínseco con recuperación inversa baja
Baja inductancia de desviación de 5 nH
Tensión de bloqueo de 1.200 V
Pérdidas de conmutación bajas
Sensor de temperatura NTC integrado
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