MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 89 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines

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Código RS:
284-864
Nº ref. fabric.:
IMYH200R024M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

89A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

2000V

Encapsulado

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

576W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

137nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de tren de SiC CoolSiC de 2.000 V de Infineon representa una solución de vanguardia diseñada para aplicaciones de alto rendimiento. Diseñado con tecnología de interconexión avanzada .XT, garantiza una gestión térmica y eficiencia óptimas, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes. Con un diodo de cuerpo robusto, el MOSFET sobresale en condiciones de conmutación difíciles, proporcionando un funcionamiento fiable en diversas aplicaciones, incluidos inversores de cadena y sistemas de carga EV. Sus impresionantes especificaciones, que incluyen una corriente de drenaje continua de hasta 89 A, subrayan su capacidad de manejar cargas de potencia significativas, mientras que sus bajas pérdidas de conmutación contribuyen a la eficiencia general del sistema. Este dispositivo ha sido rigurosamente validado para aplicaciones industriales, lo que garantiza la adhesión a los estándares del sector y la fiabilidad.

Funciona a alta tensión de 2.000 V

Resistencia de estado encendido muy baja para mayor eficiencia

Tensión de umbral de puerta de referencia para rendimiento

Funcionamiento robusto con diodo de cuerpo bien diseñado

Validado para uso industrial a través de pruebas JEDEC

Admite un rendimiento térmico óptimo a través del diseño

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