MOSFET, N-Canal Infineon IMYH200R100M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 26 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 349-114
- Nº ref. fabric.:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-114
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 142mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 217W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 142mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 217W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 2000 V, corriente de drenaje continua de 26 A - IMYH200R100M1HXKSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en sistemas electrónicos exigentes. Proporciona una solución robusta para convertir o controlar grandes tensiones y corrientes en implementaciones de orificio pasante, funcionando en un rango de temperatura ambiente ampliado para su uso en entornos hostiles.
Características y ventajas:
• La resistencia de drenaje a fuente de 2000 V simplifica los diseños de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 26 A admite un suministro de potencia sostenido
• La disipación de potencia máxima de 217 W ayuda a la planificación del margen térmico
• La Rds(on) de 142 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 55 nC permite gestionar la energía de accionamiento
• El encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 facilita el montaje y la refrigeración
• La corriente de drenaje continua de 26 A admite un suministro de potencia sostenido
• La disipación de potencia máxima de 217 W ayuda a la planificación del margen térmico
• La Rds(on) de 142 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 55 nC permite gestionar la energía de accionamiento
• El encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 facilita el montaje y la refrigeración
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con circuitos de interfaz de almacenamiento de energía y grid-tie
• Se puede utilizar para equipos de prueba y medición de alta tensión
• Adecuado para módulos electrónicos de potencia de altas prestaciones y de tracción
• Ideal para etapas de potencia de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con circuitos de interfaz de almacenamiento de energía y grid-tie
• Se puede utilizar para equipos de prueba y medición de alta tensión
• Adecuado para módulos electrónicos de potencia de altas prestaciones y de tracción
¿Qué tensión nominal y polaridad deben esperar los diseñadores para la conmutación?
El dispositivo está clasificado para soportar 2000 V entre el drenador y la fuente y está configurado como un transistor de canal N, por lo que los diseños deben tener en cuenta la separación de alta tensión y la referencia de accionamiento de puerta adecuada.
¿Cómo influye la energía del accionamiento de puerta en la selección del accionamiento de puerta?
Con una carga de puerta típica de 55 nC, los controladores de puerta deben elegirse para suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación requerida al tiempo que controlan dv/dt para limitar la tensión electromagnética.
¿Qué consideraciones térmicas son necesarias para un funcionamiento fiable?
El componente disipa hasta 217 W en condiciones especificadas, por lo que la gestión térmica, incluido el disipador térmico y la conductividad térmica de la placa de circuito impreso, debe diseñarse para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.
¿Qué enfoque de montaje admite el encapsulado y cuáles son las implicaciones?
El formato de orificio pasante PG-TO-247-4-PLUS-NT14 facilita la estabilidad mecánica y la fijación directa del disipador térmico, lo que simplifica el montaje para aplicaciones de alta potencia.
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