IGBT, IGQ75N120S7XKSA1, N-Canal, 75 A, 1200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Código RS:
284-979
Nº ref. fabric.:
IGQ75N120S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

630 W

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon está diseñado para funcionar de manera eficiente a 1.200 V al tiempo que garantiza un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Con tecnología de trinchera de vanguardia, este dispositivo destaca en el manejo de altos niveles de corriente de hasta 75 A, lo que lo convierte en ideal para fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable como inversores solares. El diseño meticuloso garantiza una tensión de saturación baja y una controlabilidad dv/dt significativa, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia de los sistemas de conversión de potencia. Con un fuerte énfasis en la durabilidad, este IGBT está validado para aplicaciones industriales de acuerdo con los estrictos estándares JEDEC, lo que garantiza que cumple las demandas rigurosas de la electrónica moderna.

Diseñado con tecnología de trinch para mayor eficiencia

La robustez de los cortocircuitos garantiza un rendimiento fiable

Amplio rango de temperaturas para diversas aplicaciones

Las pérdidas de conmutación reducidas mejoran la gestión térmica

Optimizado para uso industrial de alto rendimiento

Modelos PSpice completos para facilitar la integración

La carga de puerta baja permite velocidades de conmutación más rápidas

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