Infineon IGBT, IGQ75N120S7XKSA1, Tipo N-Canal, 1200 V, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 284-979
- Nº ref. fabric.:
- IGQ75N120S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-979
- Nº ref. fabric.:
- IGQ75N120S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 630W | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Longitud | 20.1mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 630W | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Longitud 20.1mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de Infineon está diseñado para funcionar de manera eficiente a 1.200 V al tiempo que garantiza un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Con tecnología de trinchera de vanguardia, este dispositivo destaca en el manejo de altos niveles de corriente de hasta 75 A, lo que lo convierte en ideal para fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable como inversores solares. El diseño meticuloso garantiza una tensión de saturación baja y una controlabilidad dv/dt significativa, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia de los sistemas de conversión de potencia. Con un fuerte énfasis en la durabilidad, este IGBT está validado para aplicaciones industriales de acuerdo con los estrictos estándares JEDEC, lo que garantiza que cumple las demandas rigurosas de la electrónica moderna.
Diseñado con tecnología de trinch para mayor eficiencia
La robustez de los cortocircuitos garantiza un rendimiento fiable
Amplio rango de temperaturas para diversas aplicaciones
Las pérdidas de conmutación reducidas mejoran la gestión térmica
Optimizado para uso industrial de alto rendimiento
Modelos PSpice completos para facilitar la integración
La carga de puerta baja permite velocidades de conmutación más rápidas
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