Infineon IGBT, IKQ120N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 650 V, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 pines Orificio pasante

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-989
Nº ref. fabric.:
IKQ120N65EH7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

498W

Encapsulado

PG-TO-247-3-PLUS-N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.65V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Anchura

15.9 mm

Longitud

20.1mm

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Estándar de automoción

No

El IGBT de Infineon con semiconductor de potencia avanzado revoluciona la eficiencia en diversas aplicaciones con sus capacidades de alta velocidad y baja tensión de saturación. Diseñado con la reconocida tecnología TRENCHSTOP IGBT7 de 650 V, destaca en topologías de conmutación rígida, lo que lo convierte en ideal para sistemas UPS industriales, soluciones de carga EV e inversores de cadena. Este componente robusto está calificado bajo estrictos estándares industriales, lo que garantiza fiabilidad y longevidad en entornos exigentes.

Utiliza tecnología de trinch para mayor eficiencia

Minimiza las pérdidas de conmutación para mejorar el rendimiento

Diseñado para garantizar la fiabilidad en condiciones de alta humedad

Características de conmutación suaves para mayor precisión

Diseñado para un uso versátil de la electrónica de potencia

Calificación para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

Admite la vida útil del dispositivo con gestión térmica

Proporciona capacidades de simulación con modelos PSpice

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